SI1046X MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI1046X
   Código: 3*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.606 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.95 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 0.606 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 17 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.42 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-89-3L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI1046X

SI1046X Datasheet (PDF)

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si1046x.pdf

New ProductSi1046XVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.420 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET: 1.8 V Rated0.606 ESD Protected: 2000 V0.501 at VGS = 2.5 V 20 0.505 0.92 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.660 at VGS = 1.

8.1. Size:136K vishay
si1046r.pdf

Si1046RVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.420 at VGS = 4.5 V 0.606 TrenchFET Power MOSFET: 1.8 V Rated20 0.501 at VGS = 2.5 V 0.505 0.92 ESD Protected: 2000 V0.660 at VGS = 1.8 V 0.15 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPL

9.1. Size:145K vishay
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Si1040XVishay SiliconixLoad Switch with Level-ShiftFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS2 (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.625 at VIN = 4.5 V 0.43 TrenchFET Power MOSFET0.890 at VIN = 2.5 V 1.8 to 8 0.36 1.8 V to 8 V Input1.25 at VIN = 1.8 V 0.3 1.5 V to 8 V Logic Level Control Smallest LITTLE FOOT

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