SI1403BDL Todos los transistores

 

SI1403BDL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI1403BDL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.568 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: SOT-363

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SI1403BDL datasheet

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SI1403BDL

Si1403BDL Vishay Siliconix P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.150 at VGS = - 4.5 V - 1.5 TrenchFET Power MOSFET 0.175 at VGS = - 3.6 V - 1.4 2.9 - 20 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.265 at VGS = - 2.5 V - 1.2 SOT-363 SC-70 (6-LEADS) D 1 6 D

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SI1403BDL

Si1403DL New Product Vishay Siliconix P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) rDS(on) ( ) ID (A) Pb-free Available 0.180 at VGS = - 4.5 V 1.5 RoHS* - 25 0.200 at VGS = - 3.6 V 1.4 COMPLIANT 0.265 at VGS = - 2.5 V 1.2 SOT-363 SC-70 (6-LEADS) D 1 6 D Marking Code OA XX 5 D 2 D Lot Traceability and Date Code G

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SI1403BDL

Si1403CDL Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)c Qg (Typ.) Definition 0.140 at VGS = - 4.5 V - 2.1 TrenchFET Power MOSFET - 20 0.160 at VGS = - 3.6 V - 1.9 4 nC 100 % Rg Tested 0.222 at VGS = - 2.5 V - 1.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS

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SI1403BDL

New Product Si1401EDH Vishay Siliconix P-Channel 12 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.034 at VGS = - 4.5 V - 4 TrenchFET Power MOSFET 0.046 at VGS = - 2.5 V - 4 Typical ESD Performance 1500 V - 12 14.1 nC 100 % Rg Tested 0.070 at VGS = - 1.8 V - 4 Compl

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