SI1428EDH Todos los transistores

 

SI1428EDH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI1428EDH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 400 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363
 

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SI1428EDH Datasheet (PDF)

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SI1428EDH

New ProductSi1428EDHVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.045 at VGS = 10 V 4 TrenchFET Power MOSFET30 0.049 at VGS = 4.5 V 4 4 nC Typical ESD Protection 2000 V HBM0.060 at VGS = 2.5 V 4 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Dire

 9.1. Size:261K  vishay
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SI1428EDH

New ProductSi1422DHVishay SiliconixN-Channel 12 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.026 at VGS = 4.5 V 4 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested12 0.030 at VGS = 2.5 V 4 7.5 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.036 at VGS = 1.8 V 4APPLICATIONS Loa

 9.2. Size:261K  vishay
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SI1428EDH

New ProductSi1424EDHVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.033 at VGS = 4.5 V 4 TrenchFET Power MOSFET0.038 at VGS = 2.5 V 4 Typical ESD Protection 4000 V20 6 nC0.045 at VGS = 1.8 V 4 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Direct

 9.3. Size:259K  vishay
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SI1428EDH

New ProductSi1427EDHVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.064 at VGS = - 4.5 V - 2.0e TrenchFET Power MOSFET0.085 at VGS = - 2.5 V - 2.0e 100 % Rg Tested- 20 7.6 nC0.110 at VGS = - 1.8 V - 2.0e Typical ESD Performance 2000 V

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History: SDF100NA40JD | OSG60R190FT3ZF | IRF6621

 

 
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