SI1431DH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI1431DH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.95 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-363
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI1431DH
SI1431DH Datasheet (PDF)
si1431dh.pdf
Si1431DHVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.200 at VGS = - 10 V - 2.0 TrenchFET Power MOSFET - 300.355 at VGS = - 4.5 V - 1.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Load Switch- Notebook PC- ServersSOT-363SC-70 (6-LEADS)
si1433dh.pdf
Si1433DHVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.150 at VGS = - 10 V - 2.2 TrenchFET Power MOSFETs: 1.8 V Rated- 300.260 at VGS = - 4.5 V - 1.6 Thermally Enhanced SC-70 Package Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch
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History: NTMFS4936NC
History: NTMFS4936NC
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