SI1431DH Todos los transistores

 

SI1431DH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI1431DH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.95 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm

Encapsulados: SOT-363

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SI1431DH datasheet

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SI1431DH

Si1431DH Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.200 at VGS = - 10 V - 2.0 TrenchFET Power MOSFET - 30 0.355 at VGS = - 4.5 V - 1.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Load Switch - Notebook PC - Servers SOT-363 SC-70 (6-LEADS)

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SI1431DH

Si1433DH Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.150 at VGS = - 10 V - 2.2 TrenchFET Power MOSFETs 1.8 V Rated - 30 0.260 at VGS = - 4.5 V - 1.6 Thermally Enhanced SC-70 Package Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Load Switch

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