SI1433DH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI1433DH
   Código: BE*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.95 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 3.1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI1433DH

SI1433DH Datasheet (PDF)

..1. Size:237K vishay
si1433dh.pdf

Si1433DHVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.150 at VGS = - 10 V - 2.2 TrenchFET Power MOSFETs: 1.8 V Rated- 300.260 at VGS = - 4.5 V - 1.6 Thermally Enhanced SC-70 Package Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch

9.1. Size:99K vishay
si1431dh.pdf

Si1431DHVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.200 at VGS = - 10 V - 2.0 TrenchFET Power MOSFET - 300.355 at VGS = - 4.5 V - 1.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Load Switch- Notebook PC- ServersSOT-363SC-70 (6-LEADS)

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History: IXFV30N60P

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: