SI1433DH Todos los transistores

 

SI1433DH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI1433DH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.95 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI1433DH Datasheet (PDF)

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SI1433DH

Si1433DHVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.150 at VGS = - 10 V - 2.2 TrenchFET Power MOSFETs: 1.8 V Rated- 300.260 at VGS = - 4.5 V - 1.6 Thermally Enhanced SC-70 Package Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch

 9.1. Size:99K  vishay
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SI1433DH

Si1431DHVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.200 at VGS = - 10 V - 2.0 TrenchFET Power MOSFET - 300.355 at VGS = - 4.5 V - 1.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Load Switch- Notebook PC- ServersSOT-363SC-70 (6-LEADS)

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History: NTB6410AN | SDF1NA60

 

 
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