SI1480DH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI1480DH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI1480DH

SI1480DH Datasheet (PDF)

..1. Size:244K vishay
si1480dh.pdf

Si1480DHVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested Material categorization:0.200 at VGS = 10 V 2.6aFor definitions of compliance please see100 1.80.320 at VGS = 4.5 V 2.2www.vishay.com/doc?99912APPLICATIONS Load Switches DC/DC Co

9.1. Size:110K vishay
si1488dh.pdf

Si1488DHVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.049 at VGS = 4.5 V 6.1a TrenchFET Power MOSFET20 0.056 at VGS = 2.5 V 5.7 6.0 100 % Rg and UIS Tested0.065 at VGS = 1.8 V 5.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSSOT-363

9.2. Size:259K vishay
si1489edh.pdf

New ProductSi1489EDHVishay SiliconixP-Channel 8 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.048 at VGS = - 4.5 V - 2.0e TrenchFET Power MOSFET0.059 at VGS = - 2.5 V - 2.0e 100 % Rg Tested0.073 at VGS = - 1.8 V - 2.0e 10.5 nC- 8 Typical ESD Performance 2000 V in HB

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