SI1865DDL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI1865DDL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.357 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Paquete / Cubierta: SC-70-6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI1865DDL
SI1865DDL Datasheet (PDF)
si1865ddl.pdf
Si1865DDLVishay SiliconixLoad Switch with Level-ShiftFEATURESPRODUCT SUMMARY Low RDS(on) TrenchFETVIN (VDS2) (V) RDS(on) () Max. ID (A) 1.8 V to 12 V Input0.200 at VIN = 4.5 V 1.1 1.5 V to 8 V Logic Level Control0.300 at VIN = 2.5 V 1.8 to 12 0.9 Low Profile, Small Footprint SC70-6 Package0.508 at VIN = 1.8 V 2000 V ESD Protection On Input
si1865dl.pdf
Si1865DLNew ProductVishay SiliconixLoad Switch with Level-Shift FEATURES 215 m Low rDS(on) TrenchFETPRODUCT SUMMARY 1.8 to 8 V Input Pb-freeVDS2 (V) rDS(on) ()ID (A)Available 1.5 to 8 V Logic Level Control Low Profile, Small Footprint SC70-6 Package RoHS*0.215 at VIN = 4.5 V 1.2 2000 V ESD Protection On Input Switch, VON/OFF COMPLIANT1.
si1867dl.pdf
Si1867DLVishay SiliconixLoad Switch with Level-Shift FEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS2 (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.600 at VIN = 4.5 V 0.6 TrenchFET Power MOSFET1.8 to 8 0.850 at VIN = 2.5 V 0.5 600 m Low RDS(on) 1.8 V to 8 V Input1.200 at VIN = 1.8 V 0.2 1.5 V to 8 V Logic Level Control
si1869dh.pdf
Si1869DHVishay SiliconixLoad Switch with Level-ShiftFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS2 (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.165 at VIN = 4.5 V 1.2 TrenchFET Power MOSFETs: 1.8 V Rated1.8 to 20 0.222 at VIN = 2.5 V 1.0 ESD Protected: 2000 V On Input Switch, 0.303 at VIN = 1.8 V 0.7VON/OFF 165 m Low RDS(on)
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: IXFH12N120P | STP18N10
History: IXFH12N120P | STP18N10
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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