SI2306BDS Todos los transistores

 

SI2306BDS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI2306BDS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.047 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI2306BDS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:207K  vishay
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SI2306BDS

Si2306BDSVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.047 at VGS = 10 V 4.030 3.0 100 % Rg Tested RoHS0.065 at VGS = 4.5 V 3.5COMPLIANTTO-236(SOT-23)G 13 DS 2Top ViewSi2306BDS (L6 )** Marking CodeOrdering Information: Si2306

 8.1. Size:64K  vishay
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SI2306BDS

Si2306DSVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)D 100% Rg Tested0.057 @ VGS = 10 V 3.530300.094 @ VGS = 4.5 V 2.8-TO-236(SOT-23)G 13 DS 2Top ViewSi2306DS (A6)**Marking CodeOrdering Information: Si2306DS-T1ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter

 8.2. Size:532K  shenzhen
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SI2306BDS

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd Si2306N-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)FEATURES0.057 @ VGS = 10 V 3.5D Power MOSFET30300.094 @ VGS = 4.5 V 2.8D 100% Rg Tested-TO-236(SOT-23)G 13 DS 2Top ViewSi2306 *Marking CodeOrdering Information: Si2306DS-T1ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOT

 8.3. Size:845K  blue-rocket-elect
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SI2306BDS

SI2306(BRCS2306M) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 N MOS N- CHANNEL MOSFET in a SOT-23 Plastic Package. / Features , MOS Trench FET Power MOSFET 100% Rg Tested. / Applications Primarily the display screen drive applications.

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SK2931 | FQPF13N50C

 

 
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