SI3443DVTR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI3443DVTR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI3443DVTR

SI3443DVTR Datasheet (PDF)

..1. Size:128K vishay
si3443dvtr.pdf

PD- 93795BSi3443DVHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceA1 6D Dl P-Channel MOSFETVDSS = -20Vl Surface Mount25DDl Available in Tape & Reell -2.5V Rated34G SRDS(on) = 0.065Top ViewDescriptionThese P-channel MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve theextremely low on-resistance per silicon area

6.1. Size:109K 1
si3443dvpbf.pdf

PD-95240Si3443DVPbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-Resistance A1 6D Dl P-Channel MOSFETVDSS = -20Vl Surface Mount25DDl Available in Tape & Reell -2.5V Rated34G SRDS(on) = 0.065l Lead-FreeTop ViewDescriptionThese P-channel MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve theextremely low on-resistance per

6.2. Size:93K international rectifier
si3443dv.pdf

PD- 93795ASi3443DVHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceA1 6D D P-Channel MOSFETVDSS = -20V Surface Mount25DD Available in Tape & Reel -2.5V Rated3 4G SRDS(on) = 0.065Top ViewDescriptionThese P-channel MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve theextremely low on-resistance per silicon area. This

6.3. Size:109K fairchild semi
si3443dv.pdf

April 2001Si3443DVP-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFETGeneral DescriptionFeatures DS(ON) GS DS(ON) GS

6.4. Size:68K vishay
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Si3443DVVishay SiliconixP-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYFEATURESVDS (V) rDS(on) (W) ID (A) D TrenchFETr Power MOSFETD 100% Rg Tested0.065 @ VGS = -4.5 V -4.50.090 @ VGS = -2.7 V -3.8-200.100 @ VGS = -2.5 V -3.7TSOP-6(4) STop View1 6(3) G3 mm523 42.85 mm(1, 2, 5, 6) DOrdering Information: Si3443DV-T1E3 (Lead Free)P-Channel MOSFETABSOL

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CHM6031LPAGP | BL4N65-A

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: