IRFRC20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFRC20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFRC20

IRFRC20 Datasheet (PDF)

..1. Size:1109K international rectifier
irfrc20pbf irfuc20pbf.pdf

PD - 95098AIRFRC20PbFIRFUC20PbF Lead-Free1/10/05Document Number: 91285 www.vishay.com1IRFR/UC20PbFDocument Number: 91285 www.vishay.com2IRFR/UC20PbFDocument Number: 91285 www.vishay.com3IRFR/UC20PbFDocument Number: 91285 www.vishay.com4IRFR/UC20PbFDocument Number: 91285 www.vishay.com5IRFR/UC20PbFDocument Number: 91285 www.vishay.com6IRFR/UC2

..2. Size:169K international rectifier
irfrc20.pdf

..3. Size:1122K vishay
irfrc20pbf irfuc20pbf sihfrc20 sihfuc20.pdf

IRFRC20, IRFUC20, SiHFRC20, SiHFUC20www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 600 Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 4.4 Surface Mount (IRFRC20, SiHFRC20)Qg (Max.) (nC) 18 Straight Lead (IRFUC20, SiHFUC20)Qgs (nC) 3.0 Available in Tape and ReelQgd (nC) 8.9 Fast SwitchingConfigu

..4. Size:1918K vishay
irfrc20 irfuc20 sihfrc20 sihfuc20.pdf

IRFRC20, IRFUC20, SiHFRC20, SiHFUC20Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 600Definition Dynamic dV/dt RatingRDS(on) ()VGS = 10 V 4.4 Repetitive Avalanche RatedQg (Max.) (nC) 18 Surface Mount (IRFRC20, SiHFRC20)Qgs (nC) 3.0 Straight Lead (IRFUC20, SiHFUC20)Qgd (nC) 8.9 Available in T

..5. Size:288K inchange semiconductor
irfrc20.pdf

iscN-Channel MOSFET Transistor IRFRC20FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) =4.4 (MAX)Enhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.25mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE U

Otros transistores... IRFR9120N , IRFR9121 , IRFR9210 , IRFR9212 , IRFR9214 , IRFR9220 , IRFR9222 , IRFR9310 , IRF9540N , IRFS11N50A , IRFS130 , IRFS131 , IRFS132 , IRFS133 , IRFS140 , IRFS140A , IRFS141 .

Liste

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