IRFRC20 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IRFRC20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFRC20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.4 Ohm

Encapsulados: TO252

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IRFRC20 datasheet

..1. Size:1109K international rectifier
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PD - 95098A IRFRC20PbF IRFUC20PbF Lead-Free 1/10/05 Document Number 91285 www.vishay.com 1 IRFR/UC20PbF Document Number 91285 www.vishay.com 2 IRFR/UC20PbF Document Number 91285 www.vishay.com 3 IRFR/UC20PbF Document Number 91285 www.vishay.com 4 IRFR/UC20PbF Document Number 91285 www.vishay.com 5 IRFR/UC20PbF Document Number 91285 www.vishay.com 6 IRFR/UC2

..2. Size:169K international rectifier
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..3. Size:1122K vishay
irfrc20pbf irfuc20pbf sihfrc20 sihfuc20.pdf pdf_icon

IRFRC20, IRFUC20, SiHFRC20, SiHFUC20 www.vishay.com Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 600 Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 4.4 Surface Mount (IRFRC20, SiHFRC20) Qg (Max.) (nC) 18 Straight Lead (IRFUC20, SiHFUC20) Qgs (nC) 3.0 Available in Tape and Reel Qgd (nC) 8.9 Fast Switching Configu

..4. Size:1918K vishay
irfrc20 irfuc20 sihfrc20 sihfuc20.pdf pdf_icon

IRFRC20, IRFUC20, SiHFRC20, SiHFUC20 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 600 Definition Dynamic dV/dt Rating RDS(on) ( )VGS = 10 V 4.4 Repetitive Avalanche Rated Qg (Max.) (nC) 18 Surface Mount (IRFRC20, SiHFRC20) Qgs (nC) 3.0 Straight Lead (IRFUC20, SiHFUC20) Qgd (nC) 8.9 Available in T

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