SI3483CDV Todos los transistores

 

SI3483CDV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI3483CDV

Código: AU*

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3 V

Tiempo de elevación (tr): 135 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 170 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.034 Ohm

Empaquetado / Estuche: TSOP-6

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SI3483CDV Datasheet (PDF)

1.1. si3483cdv.pdf Size:224K _vishay

SI3483CDV
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New Product Si3483CDV Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) (Ω)ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.034 at VGS = - 10 V - 8a • TrenchFET® Power MOSFET - 30 11.5 nC • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.053 at VGS = - 4.5 V - 7 APPLICATIONS • Load Switch TSOP-6 (4) S Top Vi

2.1. si3483cd.pdf Size:222K _vishay

SI3483CDV
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New Product Si3483CDV Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) (?)ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.034 at VGS = - 10 V - 8a TrenchFET Power MOSFET - 30 11.5 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.053 at VGS = - 4.5 V - 7 APPLICATIONS Load Switch TSOP-6 (4) S Top View 1 6 3 mm

 4.1. si3483dv.pdf Size:618K _vishay

SI3483CDV
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Si3483DV Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) (Ω)ID (A) Definition 0.035 at VGS = - 10 V - 6.2 • TrenchFET® Power MOSFET - 30 0.053 at VGS = - 4.5 V - 5.0 • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switch TSOP-6 (4) S Top View 1 6 3 mm (3) G 5 2

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