SI3483CDV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI3483CDV
   Código: AU*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 135 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI3483CDV

SI3483CDV Datasheet (PDF)

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New ProductSi3483CDVVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.034 at VGS = - 10 V - 8a TrenchFET Power MOSFET- 30 11.5 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.053 at VGS = - 4.5 V - 7APPLICATIONS Load SwitchTSOP-6(4) STop Vi

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Si3483DVVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 6.2 TrenchFET Power MOSFET- 300.053 at VGS = - 4.5 V - 5.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load SwitchTSOP-6(4) STop View1 63 mm (3) G52

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Si3481DVVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.048 at VGS = - 10 V - 5.3 TrenchFET Power MOSFET- 300.079 at VGS = - 4.5 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC- 4.1APPLICATIONS Load SwitchTSOP-6 Top Vi e w 1 6 (4) S3 mm 5 2 (

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History: SD8901HD

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