SI3867DV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI3867DV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.051 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI3867DV

SI3867DV Datasheet (PDF)

..1. Size:201K vishay
si3867dv.pdf

Si3867DVVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.051 at VGS = - 4.5 V - 5.1 TrenchFET Power MOSFET0.067 at VGS = - 3.3 V PWM Optimized - 20 - 4.5 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.100 at VGS = - 2.5 V - 3.7APPLICATIONS DC/DC- HD

9.1. Size:230K vishay
si3865ddv.pdf

Si3865DDVwww.vishay.comVishay SiliconixLoad Switch with Level-ShiftFEATURESPRODUCT SUMMARY Low RDS(on) TrenchFET: 1.5 V ratedVIN (VDS2) (V) RDS(on) ()ID (A) 1.5 V to 12 V input0.054 at VIN = 4.5 V 3.9 1.8 V to 8 V logic level control0.077 at VIN = 2.5 V 3.21.5 to 12 Low profile, small footprint TSOP-6 package0.106 at VIN = 1.8 V 2.80.165 at VIN = 1.

9.2. Size:200K vishay
si3865bdv.pdf

Si3865BDVVishay SiliconixLoad Switch with Level-ShiftFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS2 (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.060 at VIN = 4.5 V 2.9 60 m Low RDS(on) TrenchFET: 1.8 V Rated0.100 at VIN = 2.5 V 1.8 to 8 2.2 1.8 V to 8 V Input0.175 at VIN = 1.8 V 1.7 1.5 V to 8 V Logic Level Control Low Prof

9.3. Size:213K vishay
si3865cd.pdf

New ProductSi3865CDVVishay SiliconixLoad Switch with Level-ShiftFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS2 (V) (VIN)RDS(on) ()ID (A)Definition0.060 at VIN = 4.5 V 2.8 60 m Low RDS(on) TrenchFET0.095 at VIN = 2.5 V 1.8 to 12 2.2 1.8 V to 12 V Input0.130 at VIN = 1.8 V 1.9 1.5 V to 8 V Logic Level Control L

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: