SI4122DY Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI4122DY  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 475 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SI4122DY datasheet

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SI4122DY

New Product Si4122DY Vishay Siliconix N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0045 at VGS = 10 V 27.2 100 % Rg and UIS Tested COMPLIANT 40 29 nC 0.006 at VGS = 4.5 V 23.5 APPLICATIONS DC/DC Conversion SO-8 D SD 1 8 SD 2 7 SD 3 6 G GD 4 5

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SI4122DY

New Product Si4126DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.00275 at VGS = 10 V 39 100 % Rg and UIS Tested COMPLIANT 30 30 nC 0.0034 at VGS = 4.5 V 35 APPLICATIONS Low-Side DC/DC Conversion - Notebook - Gaming SO-8 D SD 1 8 SD

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SI4122DY

New Product Si4128DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.024 at VGS = 10 V 10.9 TrenchFET Power MOSFET 30 3.8 nC 100 % Rg Tested 0.030 at VGS = 4.5 V 9.7 APPLICATIONS Notebook PC - System Power - Load Switch SO-8 S 1 8 D

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SI4122DY

New Product Si4124DY Vishay Siliconix N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Available TrenchFET Power MOSFET 0.0075 at VGS = 10 V 20.5 40 21 nC 100 % Rg Tested 0.009 at VGS = 4.5 V 18.7 APPLICATIONS Synchronous Rectification SO-8 DC/DC D S D 1 8

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