SI4128DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI4128DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10.9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI4128DY

SI4128DY Datasheet (PDF)

..1. Size:251K vishay
si4128dy.pdf

New ProductSi4128DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.024 at VGS = 10 V 10.9 TrenchFET Power MOSFET30 3.8 nC 100 % Rg Tested0.030 at VGS = 4.5 V 9.7APPLICATIONS Notebook PC- System Power- Load SwitchSO-8 S 1 8 D

9.1. Size:268K vishay
si4126dy.pdf

New ProductSi4126DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS0.00275 at VGS = 10 V 39 100 % Rg and UIS TestedCOMPLIANT 30 30 nC0.0034 at VGS = 4.5 V 35APPLICATIONS Low-Side DC/DC Conversion- Notebook- GamingSO-8 D SD1 8 SD

9.2. Size:269K vishay
si4122dy.pdf

New ProductSi4122DYVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS0.0045 at VGS = 10 V 27.2 100 % Rg and UIS TestedCOMPLIANT 40 29 nC0.006 at VGS = 4.5 V 23.5APPLICATIONS DC/DC ConversionSO-8 D SD1 8 SD2 7 SD3 6 G GD4 5

9.3. Size:253K vishay
si4124dy.pdf

New ProductSi4124DYVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Available TrenchFET Power MOSFET0.0075 at VGS = 10 V 20.540 21 nC 100 % Rg Tested0.009 at VGS = 4.5 V 18.7APPLICATIONS Synchronous RectificationSO-8 DC/DCDS D1 8

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Liste

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