SI4176DY Todos los transistores

 

SI4176DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4176DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI4176DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:270K  vishay
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SI4176DY

New ProductSi4176DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.020 at VGS = 10 V 12a TrenchFET Power MOSFET30 4.7 nC0.027 at VGS = 4.5 V 100 % Rg and UIS Tested10.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch

 9.1. Size:252K  vishay
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SI4176DY

New ProductSi4174DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0095 at VGS = 10 V 17 100 % Rg and UIS Tested30 8 nC0.013 at VGS = 4.5 V 14.5APPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side SwitchSO-8 D SD1 8 SD2

 9.2. Size:253K  vishay
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SI4176DY

Si4172DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 1530 6.8 nC Optimized for High-Side Synchronous0.015 at VGS = 4.5 V 13Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side

 9.3. Size:268K  vishay
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SI4176DY

New ProductSi4170DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.0035 at VGS = 10 V 30 100 % Rg TestedCOMPLIANT 30 29 nC0.0045 at VGS = 4.5 V 27 100 % Avalanche TestedAPPLICATIONS Notebook PC Core- Low Side SwitchSO-8DSD1 8

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History: IXTP50N28T | 3SK249

 

 
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