SI4200DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI4200DY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 96 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
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SI4200DY Datasheet (PDF)
si4200dy.pdf
Si4200DYVishay SiliconixDual N-Channel 25 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.025 at VGS = 10 V 8a25 3.6 nC TrenchFET Gen III Power MOSFET0.030 at VGS = 4.5 V 7.9 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC Converter- Game Console- Notebook Sys
si4202dy.pdf
Si4202DYVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.014 at VGS = 10 V 12.1 TrenchFET Power MOSFET30 5.4 nC0.017 at VGS = 4.5 V 11 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Syn
si4204dy.pdf
Si4204DYVishay SiliconixDual N-Channel 20 V MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0046 at VGS = 10 V 19.8a TrenchFET Power MOSFET20 14.50.006 at VGS = 4.5 V 17.3a 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSD D 1 2 SO-8
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Liste
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