SI4200DY Todos los transistores

 

SI4200DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4200DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 96 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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SI4200DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:249K  vishay
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SI4200DY

Si4200DYVishay SiliconixDual N-Channel 25 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.025 at VGS = 10 V 8a25 3.6 nC TrenchFET Gen III Power MOSFET0.030 at VGS = 4.5 V 7.9 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC Converter- Game Console- Notebook Sys

 9.1. Size:252K  vishay
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SI4200DY

Si4202DYVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.014 at VGS = 10 V 12.1 TrenchFET Power MOSFET30 5.4 nC0.017 at VGS = 4.5 V 11 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Syn

 9.2. Size:257K  vishay
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SI4200DY

Si4204DYVishay SiliconixDual N-Channel 20 V MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0046 at VGS = 10 V 19.8a TrenchFET Power MOSFET20 14.50.006 at VGS = 4.5 V 17.3a 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSD D 1 2 SO-8

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History: JCS2N70R | STW26NM60ND

 

 
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