SI4200DY Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI4200DY  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 96 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SI4200DY datasheet

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SI4200DY

Si4200DY Vishay Siliconix Dual N-Channel 25 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.025 at VGS = 10 V 8a 25 3.6 nC TrenchFET Gen III Power MOSFET 0.030 at VGS = 4.5 V 7.9 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS DC/DC Converter - Game Console - Notebook Sys

 9.1. Size:252K  vishay
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SI4200DY

Si4202DY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.014 at VGS = 10 V 12.1 TrenchFET Power MOSFET 30 5.4 nC 0.017 at VGS = 4.5 V 11 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Syn

 9.2. Size:257K  vishay
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SI4200DY

Si4204DY Vishay Siliconix Dual N-Channel 20 V MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.0046 at VGS = 10 V 19.8a TrenchFET Power MOSFET 20 14.5 0.006 at VGS = 4.5 V 17.3a 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS D D 1 2 SO-8

Otros transistores... SI4172DY, SI4174DY, SI4176DY, SI4178DY, SI4186DY, SI4190ADY, SI4190DY, SI4196DY, IRF540, SI4202DY, SI4204DY, SI4210DY, SI4214DDY, SI4228DY, SI4276DY, SI4286DY, SI4288DY