SI4228DY Todos los transistores

 

SI4228DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4228DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 146 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI4228DY Datasheet (PDF)

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SI4228DY

New ProductSi4228DYVishay SiliconixDual N-Channel 25 V (D-S) MOSFET#FEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.)Definition0.018 at VGS = 10 V 8 TrenchFET Power MOSFET25 0.020 at VGS = 4.5 V 8 7.8 nC 100 % Rg and UIS Tested0.024 at VGS = 2.5 V 7.5 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECA

 9.1. Size:102K  vishay
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SI4228DY

New ProductSi4226DYVishay SiliconixDual N-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.)Available0.0195 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET 825 11 100 % Rg and UIS Tested0.026 at VGS = 2.5 V8APPLICATIONS Synchronous Buck ConverterD1 D2SO-8S1 1 D18G

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History: IXTP50N28T

 

 
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