SI4354DY Todos los transistores

 

SI4354DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4354DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0165 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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SI4354DY Datasheet (PDF)

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SI4354DY

Si4354DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0165 at VGS = 10 V 9.5 TrenchFET Gen II Power MOSFET300.0185 at VGS = 4.5 V 9.0 100 % Rg Tested APPLICATIONS High-Side DC/DC Conversion- Notebook- ServerSO-8 DS1 8 D S D 2 7 S

 9.1. Size:97K  vishay
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SI4354DY

Si4356ADYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0055 at VGS = 10 V 26 TrenchFET Power MOSFET30 30 nC0.0068 at VGS = 4.5 V 100 % Rg Tested23APPLICATIONS Buck Converter Synchronous Rectifier- Secondary RectifierSO-8 D

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History: NDB6030PL | RSS060P05FRA | NDB510A | HYG110P04LQ2V | HYG110P04LQ2U

 

 
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