SI4354DY Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI4354DY  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0165 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SI4354DY datasheet

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SI4354DY

Si4354DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.0165 at VGS = 10 V 9.5 TrenchFET Gen II Power MOSFET 30 0.0185 at VGS = 4.5 V 9.0 100 % Rg Tested APPLICATIONS High-Side DC/DC Conversion - Notebook - Server SO-8 D S 1 8 D S D 2 7 S

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SI4354DY

Si4356ADY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0055 at VGS = 10 V 26 TrenchFET Power MOSFET 30 30 nC 0.0068 at VGS = 4.5 V 100 % Rg Tested 23 APPLICATIONS Buck Converter Synchronous Rectifier - Secondary Rectifier SO-8 D

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