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SI4447ADY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4447ADY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

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SI4447ADY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:266K  vishay
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SI4447ADY

New Product Si4447ADY Vishay Siliconix P-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.045 at VGS = - 10 V - 7.2 TrenchFET Power MOSFET - 40 11.8 nC 0.062 at VGS = - 4.5 V - 6.1 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPL

 ..2. Size:859K  cn vbsemi
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SI4447ADY

SI4447ADY www.VBsemi.tw P-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.010 at VGS = - 10 V - 16.1 100 % Rg Tested - 40 33 nC 0.014 at VGS = - 4.5 V - 13.3 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS S Load Switch POL SO-8 G SD 1

 8.1. Size:103K  vishay
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SI4447ADY

Si4447DY Vishay Siliconix P-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.054 at VGS = - 10 V - 4.5 - 40 9 100 % Rg Tested 0.072 at VGS = - 4.5 V - 3.9 100 % UIS Tested APPLICATIONS CCFL Inverter SO-8 S S 1 8 D S D 2 7 G S

 9.1. Size:221K  vishay
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SI4447ADY

Si4442DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.0045 at VGS = 10 V 22 TrenchFET Power MOSFETs 2.5 V Rated 0.005 at VGS = 4.5 V 30 19 100 % Rg Tested 0.0075 at VGS = 2.5 V 17 D SO-8 S 1 8 D 2 7 S D G 3 6 S D G 4 5 D Top View S

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History: ZXMN3A02N8TA

 

 
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