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SI4451DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4451DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00825 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

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SI4451DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:224K  vishay
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SI4451DY

Si4451DY Vishay Siliconix P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.00825 at VGS = - 4.5 V - 14 TrenchFET Power MOSFET 0.01025 at VGS = - 2.5 V - 12 - 13 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.013 at VGS = - 1.8 V - 12 APPLICATIONS Load Switch Battery S

 9.1. Size:215K  vishay
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SI4451DY

Si4450DY Vishay Siliconix N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.024 at VGS = 10 V 7.5 TrenchFET Power MOSFET 60 0.03 at VGS = 6.0 V 6.5 D SO-8 S D 1 8 S D 2 7 G S D 3 6 G D 4 5 Top View S Ordering Information Si4450DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free) Si4450DY-T1-GE3

 9.2. Size:266K  vishay
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SI4451DY

New Product Si4459ADY Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.005 at VGS = - 10 V - 29 100 % Rg Tested COMPLIANT - 30 61 nC 100 % UIS Tested 0.00775 at VGS = - 4.5 V - 23 APPLICATIONS Adaptor Switch Notebook SO-8 S S 1 8 D S D

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SI4451DY

Si4456DY Vishay Siliconix N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0038 at VGS = 10 V 33 TrenchFET Gen II Power MOSFET 40 37.5 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0045 at VGS = 4.5 V 31 APPLICATIONS Secondary Rectification Point of Load SO-8 D SD 1 8

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