SI4451DY Todos los transistores

 

SI4451DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4451DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 81 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00825 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI4451DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:224K  vishay
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SI4451DY

Si4451DYVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.00825 at VGS = - 4.5 V - 14 TrenchFET Power MOSFET0.01025 at VGS = - 2.5 V - 12 - 13 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.013 at VGS = - 1.8 V - 12APPLICATIONS Load Switch Battery S

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SI4451DY

Si4450DYVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.024 at VGS = 10 V 7.5 TrenchFET Power MOSFET600.03 at VGS = 6.0 V 6.5DSO-8S D1 8S D2 7GS D3 6G D4 5Top ViewSOrdering Information: Si4450DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)Si4450DY-T1-GE3

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SI4451DY

New ProductSi4459ADYVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.005 at VGS = - 10 V - 29 100 % Rg TestedCOMPLIANT - 30 61 nC 100 % UIS Tested0.00775 at VGS = - 4.5 V - 23APPLICATIONS Adaptor Switch NotebookSO-8S S1 8 DS D

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SI4451DY

Si4456DYVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0038 at VGS = 10 V 33 TrenchFET Gen II Power MOSFET40 37.5 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0045 at VGS = 4.5 V 31APPLICATIONS Secondary Rectification Point of LoadSO-8 D SD1 8

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History: DMN4026SSD | IXTV230N85TS | STF34N65M5 | SHD219405

 

 
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