IRFS151 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFS151

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 210 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1000 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm

Encapsulados: TO3PF

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IRFS151 datasheet

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IRFS151

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IRFS151

IRFS150A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.04 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 31 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3PF 175 C Operating Temperature A (Max.) @ VDS = 100V Lower Leakage Current 10 Lower RDS(ON) 0.032 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Sourc

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IRFS151

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IRFS151

IRFS140A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.052 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 23 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3PF 175 C Operating Temperature A (Max.) @ VDS = 100V Lower Leakage Current 10 Lower RDS(ON) 0.041 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Sour

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