SI4497DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI4497DY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 995 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
- Selección de transistores por parámetros
SI4497DY Datasheet (PDF)
si4497dy.pdf

New ProductSi4497DYVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.0033 at VGS = - 10 V - 36 TrenchFET Power MOSFET- 30 90 nC 100 % Rg Tested0.0046 at VGS = - 4.5 V - 29 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATI
si4493dy.pdf

Si4493DYVishay SiliconixP-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.00775 at VGS = - 4.5 V - 14 TrenchFET Power MOSFET - 200.01225 at VGS = - 2.5 V - 11 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load SwitchSSO-8 S 1 8 D GS D 2 7 S D
si4490dy.pdf

Si4490DYVishay SiliconixN-Channel 200-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.080 at VGS = 10 V 4.0 TrenchFET Power MOSFETs2000.090 at VGS = 6.0 V 3.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDSO-8S D1 8S D G2 7S D3 6G D4 5Top ViewSOrdering Information:
si4491edy.pdf

New ProductSi4491EDYVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Extended VGS range ( 25 V) for adaptor switchVDS (V) RDS(on) () Max. applicationsID a Qg (Typ.) Extremely low RDS(on)0.0065 at VGS = - 10 V - 29 TrenchFET Power MOSFET- 30 0.0082 at VGS = - 6 V - 23 66 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0112 at VGS = - 4.5 V - 20
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History: AP60WN4K9I | MTN50N06E3 | SSFT4004 | WNMD2167 | CPC3730 | IPI051N15N5 | SM3116NAF
History: AP60WN4K9I | MTN50N06E3 | SSFT4004 | WNMD2167 | CPC3730 | IPI051N15N5 | SM3116NAF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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