SI4559ADY Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI4559ADY  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SI4559ADY datasheet

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SI4559ADY

Si4559ADY Vishay Siliconix N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.058 at VGS = 10 V 5.3 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 60 6 nC 0.072 at VGS = 4.5 V 4.7 100 % Rg and UIS Tested 0.120 at VGS = - 10 V - 3.9 APPLICATIONS P-Channel - 60 8 nC 0.150

 8.1. Size:236K  vishay
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SI4559ADY

Si4559EY Vishay Siliconix N- and P-Channel 60-V (D-S), 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.055 at VGS = 10 V 4.5 N-Channel 60 TrenchFET Power MOSFETs 0.075 at VGS = 4.5 V 3.9 175 C Maximum Junction Temperature 0.120 at VGS = - 10 V 3.1 Compliant to RoHS Direct

 8.2. Size:1565K  cn vbsemi
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SI4559ADY

SI4559EY www.VBsemi.tw N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.028 at VGS = 10 V 5.3 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 60 6 nC 0.031 at VGS = 4.5 V 4.7 100 % Rg and UIS Tested 0.050 at VGS = - 10 V - 4.9 APPLICATIONS P-Channel - 60 8 nC 0.060 at VGS

 9.1. Size:288K  vishay
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SI4559ADY

Si4554DY Vishay Siliconix N- and P-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Definition ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.024 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS Tested N-Channel 40 0.026 at VGS = 8 V 8e 6.5 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.027 at VGS = 4.5 V 8 0.027

Otros transistores... SI4491EDY, SI4493DY, SI4497DY, SI4500BDY, SI4501BDY, SI4511DY, SI4532CDY, SI4554DY, RU7088R, SI4564DY, SI4590DY, SI4599DY, SI4618DY, SI4620DY, SI4622DY, SI4626ADY, SI4628DY