SI4599DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI4599DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 73 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0355 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI4599DY

SI4599DY Datasheet (PDF)

..1. Size:308K vishay
si4599dy.pdf

New ProductSi4599DYVishay SiliconixN- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0355 at VGS = 10 V 6.8 100 % Rg TestedN-Channel 40 5.3RoHS0.0425 at VGS = 4.5 V 6.2 100 % UIS TestedCOMPLIANT0.045 at VGS = - 10 V - 5.8APPLICATIONSP-Channel - 40 11.80.

..2. Size:911K cn vbsemi
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SI4599DYwww.VBsemi.twN- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.028 at VGS = 10 V 5.3 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 60 6 nC0.031 at VGS = 4.5 V 4.7 100 % Rg and UIS Tested0.050 at VGS = - 10 V - 4.9APPLICATIONSP-Channel - 60 8 nC0.060 at VGS

9.1. Size:349K vishay
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Si4590DYwww.vishay.comVishay SiliconixN- and P-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) a Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested0.057 at VGS = 10 V 5.6N-Channel 100 4 Material categorization:0.072 at VGS = 4.5 V 5For definitions of compliance please see0.183 at VGS = -10 V -3.4P-Channel -100 11.

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Liste

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