SI4599DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI4599DY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 73 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0355 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI4599DY
SI4599DY Datasheet (PDF)
si4599dy.pdf
New Product Si4599DY Vishay Siliconix N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0355 at VGS = 10 V 6.8 100 % Rg Tested N-Channel 40 5.3 RoHS 0.0425 at VGS = 4.5 V 6.2 100 % UIS Tested COMPLIANT 0.045 at VGS = - 10 V - 5.8 APPLICATIONS P-Channel - 40 11.8 0.
si4599dy.pdf
SI4599DY www.VBsemi.tw N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.028 at VGS = 10 V 5.3 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 60 6 nC 0.031 at VGS = 4.5 V 4.7 100 % Rg and UIS Tested 0.050 at VGS = - 10 V - 4.9 APPLICATIONS P-Channel - 60 8 nC 0.060 at VGS
si4590dy.pdf
Si4590DY www.vishay.com Vishay Siliconix N- and P-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) a Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested 0.057 at VGS = 10 V 5.6 N-Channel 100 4 Material categorization 0.072 at VGS = 4.5 V 5 For definitions of compliance please see 0.183 at VGS = -10 V -3.4 P-Channel -100 11.
Otros transistores... SI4500BDY , SI4501BDY , SI4511DY , SI4532CDY , SI4554DY , SI4559ADY , SI4564DY , SI4590DY , AO4407A , SI4618DY , SI4620DY , SI4622DY , SI4626ADY , SI4628DY , SI4630DY , SI4632DY , SI4636DY .
Liste
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