SI4810BDY Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI4810BDY 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
Encapsulados: SOIC-8
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SI4810BDY datasheet
si4810bdy.pdf
Specification Comparison Vishay Siliconix Si4810BDY vs. Si4810DY Description N-Channel, 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode Package SOIC-8 Pin Out Identical Part Number Replacements Si4810BDY Replaces Si4810DY Si4810BDY-E3 (Lead (Pb)-free version) Replaces Si4810DY Si4810BDY-T1 Replaces Si4810DY-T1 Si4810BDY-T1-E3 (Lead (Pb)-free version) Replaces Si4810DY-T1 ABSOLUTE MAXIMUM R
si4810bd.pdf
Si4810BDY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS VDS (V) rDS(on) ( )ID (A) Pb-free Fast Switching Speed 0.0135 at VGS = 10 V 10 Available 30 Low Gate Charge 0.020 at VGS = 4.5 V 8 RoHS* 100 % UIS and Rg Tested COMPLIANT SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY APPLICATIONS Diode For
si4810dy.pdf
Si4810DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.0135 @ VGS = 10 V 10 30 30 0.020 @ VGS = 4.5 V 8 SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY VSD (V) VDS (V) Diode Forward Voltage IF (A) 30 0.53 V @ 3.0 A 4.0 D D D D SO-8 SD 1 8 S D Ordering Information 2 7 SD 3 6 Si4810DY G Si4810DY-T1 (with Tape and Reel) G D 4
si4816bdy.pdf
Si4816BDY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Available 0.0185 at VGS = 10 V 6.8 LITTLE FOOT Plus Power MOSFET Channel-1 7.8 0.0225 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested 30 0.0115 at VGS = 10 V 11.4 Channel-2 11.6 0.016 a
Otros transistores... SI4688DY, SI4712DY, SI4752DY, SI4774DY, SI4776DY, SI4778DY, SI4800, SI4800BDY, P55NF06, SI4812BDY, SI4816BDY, SI4823DY, SI4825DDY, SI4825DY, SI4829DY, SI4830CDY, SI4831BDY
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Liste
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MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
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