SI4835DDY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI4835DDY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI4835DDY

SI4835DDY Datasheet (PDF)

..1. Size:239K vishay
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New ProductSi4835DDYVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Available0.018 at VGS = - 10 V - 13 TrenchFET Power MOSFET- 30 22 nC 100 % Rg Tested0.030 at VGS = - 4.5 V - 10 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Load Switches- Notebook PCs- Des

..2. Size:1430K cn vbsemi
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SI4835DDYwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Available0.0125 at VGS = - 10 V - 11.6 TrenchFET Power MOSFET- 30 22 nC 100 % Rg Tested0.0180 at VGS = - 4.5 V - 10 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Load SwitchesS - Notebook PCsSO-8- Desktop PC

6.1. Size:236K vishay
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7.1. Size:65K vishay
si4835dy 2.pdf

Si4835DYVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.019 @ VGS = -10 V -8.0-30300.033 @ VGS = -4.5 V -6.0S S SSO-8SD1 8GS D2 7SD3 6G D4 5Top ViewD D D DOrdering Information: Si4835DYSi4835DY-T1 (with Tape and Reel)P-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbo

7.2. Size:48K vishay
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Liste

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