SI4848DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI4848DY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI4848DY
SI4848DY Datasheet (PDF)
si4848dy.pdf
Si4848DYVishay SiliconixN-Channel 150-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.085 at VGS = 10 V 3.7 TrenchFET Power MOSFETs1500.095 at VGS = 6.0 V 3.5 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDSO-8S D1 8S D2 7GS D3 6G D4 5Top ViewSOrdering Information:
si4848dy-t1.pdf
SI4848DY-T1www.VBsemi.twN-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.080 at VGS = 10 V 5.4 Extremely Low Qgd for Switching Losses150 23 nC0.085 at VGS = 8 V 4.5 100 % Rg Tested 100 % Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDAPPLICATIONS
si4848dy-t1-e3.pdf
SI4848DY-T1-E3www.VBsemi.twN-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.080 at VGS = 10 V 5.4 Extremely Low Qgd for Switching Losses150 23 nC0.085 at VGS = 8 V 4.5 100 % Rg Tested 100 % Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDAPPLICATION
si4848ady.pdf
Si4848ADYwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESSO-8 SingleD ThunderFET power MOSFETD 5D 6 100 % Rg testedD 7 Material categorization:8for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?999124APPLICATIONSDG33 DC/DC convertersSS22SS11 Boost converters STop View LED backlighti
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