SI4848DY Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI4848DY  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SI4848DY datasheet

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SI4848DY

Si4848DY Vishay Siliconix N-Channel 150-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.085 at VGS = 10 V 3.7 TrenchFET Power MOSFETs 150 0.095 at VGS = 6.0 V 3.5 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D SO-8 S D 1 8 S D 2 7 G S D 3 6 G D 4 5 Top View S Ordering Information

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SI4848DY

SI4848DY-T1 www.VBsemi.tw N-Channel 150 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.080 at VGS = 10 V 5.4 Extremely Low Qgd for Switching Losses 150 23 nC 0.085 at VGS = 8 V 4.5 100 % Rg Tested 100 % Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D APPLICATIONS

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SI4848DY

SI4848DY-T1-E3 www.VBsemi.tw N-Channel 150 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.080 at VGS = 10 V 5.4 Extremely Low Qgd for Switching Losses 150 23 nC 0.085 at VGS = 8 V 4.5 100 % Rg Tested 100 % Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D APPLICATION

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SI4848DY

Si4848ADY www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 150 V (D-S) MOSFET FEATURES SO-8 Single D ThunderFET power MOSFET D 5 D 6 100 % Rg tested D 7 Material categorization 8 for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 4 APPLICATIONS D G 3 3 DC/DC converters S S 2 2 S S 1 1 Boost converters S Top View LED backlighti

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