SI4913DY Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI4913DY 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Encapsulados: SO-8
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de SI4913DY MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
SI4913DY datasheet
si4913dy.pdf
Si4913DY Vishay Siliconix Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.015 at VGS = - 4.5 V - 9.4 TrenchFET Power MOSFET 0.019 at VGS = - 2.5 V - 20 - 8.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.024 at VGS = - 1.8 V - 7.5 APPLICATIONS Load Switching S1 S2
si4913dy.pdf
SI4913DY www.VBsemi.tw Dual P-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.018 at VGS = - 4.5 V - 8.9 TrenchFET Power MOSFET 0.022 at VGS = - 2.5 V - 20 - 8.1 Advanced High Cell Density Process 0.030 at VGS = - 1.8 V - 3.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICA
si4914dy.pdf
Si4914DY New Product Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY LITTLE FOOT Plus Integrated Schottky VDS (V) rDS(on) ( )ID (A) 100 % Rg Tested 0.023 at VGS = 10 V 7.0 Channel-1 RoHS 0.032 at VGS = 4.5 V 5.6 APPLICATIONS COMPLIANT 30 0.020 at VGS = 10 V 7.4 Logic DC/DC Channel-2 0.027 at VGS = 4.5 V
si4916dy.pdf
Si4916DY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.018 at VGS = 10 V 10 LITTLE FOOT Plus Integrated Schottky Channel-1 6.6 0.023 at VGS = 4.5 V 8.5 100 % Rg Tested 30 0.018 at VGS = 10 V 10.5 Channel-2 8.9 APPL
Otros transistores... SI4888DY, SI4890BDY, SI4890DY, SI4892DY, SI4894BDY, SI4896DY, SI4904DY, SI4909DY, IRF1407, SI4914BDY, SI4916DY, SI4925DDY, SI4931DY, SI4936CDY, SI4943CDY, SI4946BEY, SI4948BEY
History: P2503BDG | DSU021N10NA
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955 | tip35 | 2sk117 | irf9540n datasheet
