SI5414DC Todos los transistores

 

SI5414DC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI5414DC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: 1206-8

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI5414DC

 

SI5414DC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  vishay
 si5414dc.pdf pdf_icon

SI5414DC

New Product Si5414DC Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.017 at VGS = 4.5 V 6 20 12.5 nC 100 % Rg Tested 0.022 at VGS = 2.5 V 6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Load Switches 1206-8

 9.1. Size:148K  vishay
 si5418du.pdf pdf_icon

SI5414DC

New Product Si5418DU Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0145 at VGS = 10 V 12 RoHS 30 9.5 nC New Thermally Enhanced PowerPAK 0.0185 at VGS = 4.5 V 12 COMPLIANT ChipFET Package - Small Footprint Area PowerPAK ChipFET Single - Low On-Resista

 9.2. Size:164K  vishay
 si5415aedu.pdf pdf_icon

SI5414DC

Si5415AEDU www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)a Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK ChipFET Package 0.0096 at VGS = - 4.5 V - 25 - Small Footprint Area - 20 0.0132 at VGS = - 2.5 V - 25 43 nC - Low On-Resistance 0.0220 at VGS = - 1.8 V - 7 100 % Rg and UIS T

 9.3. Size:144K  vishay
 si5419du.pdf pdf_icon

SI5414DC

Si5419DU Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.020 at VGS = - 10 V - 12a TrenchFET Power MOSFET - 30 15.5 nC 0.033 at VGS = - 4.5 V - 12a New Thermally Enhanced PowerPAK ChipFET Package - Small Footprint Area - Low On-Resistance PowerP

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SI5402BDC , SI5402DC , SI5403DC , SI5404BDC , SI5406CDC , SI5406DC , SI5410DU , SI5411EDU , STP65NF06 , SI5415AEDU , SI5418DU , SI5419DU , SI5424DC , SI5429DU , SI5432DC , SI5433BDC , SI5435BDC .

History: FQPF16N15

 

 
Back to Top

 


 
.