SI5419DU Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI5419DU  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: POWERPAK

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de SI5419DU MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SI5419DU datasheet

 ..1. Size:144K  vishay
 si5419du.pdf pdf_icon

SI5419DU

Si5419DU Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.020 at VGS = - 10 V - 12a TrenchFET Power MOSFET - 30 15.5 nC 0.033 at VGS = - 4.5 V - 12a New Thermally Enhanced PowerPAK ChipFET Package - Small Footprint Area - Low On-Resistance PowerP

 9.1. Size:123K  vishay
 si5414dc.pdf pdf_icon

SI5419DU

New Product Si5414DC Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.017 at VGS = 4.5 V 6 20 12.5 nC 100 % Rg Tested 0.022 at VGS = 2.5 V 6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Load Switches 1206-8

 9.2. Size:148K  vishay
 si5418du.pdf pdf_icon

SI5419DU

New Product Si5418DU Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0145 at VGS = 10 V 12 RoHS 30 9.5 nC New Thermally Enhanced PowerPAK 0.0185 at VGS = 4.5 V 12 COMPLIANT ChipFET Package - Small Footprint Area PowerPAK ChipFET Single - Low On-Resista

 9.3. Size:164K  vishay
 si5415aedu.pdf pdf_icon

SI5419DU

Si5415AEDU www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)a Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK ChipFET Package 0.0096 at VGS = - 4.5 V - 25 - Small Footprint Area - 20 0.0132 at VGS = - 2.5 V - 25 43 nC - Low On-Resistance 0.0220 at VGS = - 1.8 V - 7 100 % Rg and UIS T

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SI5404BDC, SI5406CDC, SI5406DC, SI5410DU, SI5411EDU, SI5414DC, SI5415AEDU, SI5418DU, IRFZ48N, SI5424DC, SI5429DU, SI5432DC, SI5433BDC, SI5435BDC, SI5440DC, SI5441BDC, SI5441DC