SI5435BDC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI5435BDC
   Código: BJ*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: 1206-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI5435BDC

SI5435BDC Datasheet (PDF)

..1. Size:207K vishay
si5435bdc.pdf

Si5435BDCVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.045 at VGS = - 10 V - 5.9 TrenchFET Power MOSFETs- 300.080 at VGS = - 4.5 V - 4.41206-8 ChipFET1DSD DD DMarking CodeD GGBJ XXXSLot Traceabilityand Date CodePart # CodeBottom V

8.1. Size:128K vishay
si5435dc.pdf

Si5435DCVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) () ID (A)0.050 @ VGS = --10 V--5.6--30--300.080 @ VGS = --4.5 V --4.0S1206-8 ChipFETt1DGD DD DMarking CodeD GBE XXSLot Traceabilityand Date CodePart # CodeDBottom ViewP-Channel MOSFETOrdering Information: Si5435DC-T1ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLE

9.1. Size:109K vishay
si5433dc.pdf

Si5433DCVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) () ID (A)0.040 @ VGS = --4.5 V--6.7--20 0.052 @ VGS = --2.5 V --5.90.072 @ VGS = --1.8 V --5.0S1206-8 ChipFETt1DGD DD DMarking CodeD GBD XXSLot Traceabilityand Date CodePart # CodeDBottom ViewP-Channel MOSFETOrdering Information: Si5433DC-T1ABSOLUTE MAXIMUM

9.2. Size:226K vishay
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Si5433BDCVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Available0.037 at VGS = - 4.5 V - 6.7 TrenchFET Power MOSFET0.050 at VGS = - 2.5 V - 5.9 15- 200.070 at VGS = - 1.8 V - 5.01206-8 ChipFET1SDD DD D Marking CodeGBL XXD GLot Traceabilityan

9.3. Size:215K vishay
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New ProductSi5432DCVishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.020 at VGS = 4.5 V 6RoHS20 10 nC COMPLIANTAPPLICATIONS0.025 at VGS = 2.5 V 6 Load Switches for Portable DevicesTM1206-8 ChipFET1DDD DD DD GGSSBottom ViewN-Channel MO

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History: 2SK2411 | 2SK2394

Liste

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