SI5459DU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI5459DU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI5459DU

SI5459DU Datasheet (PDF)

..1. Size:152K vishay
si5459du.pdf

New ProductSi5459DUVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.052 at VGS = - 4.5 V - 8e TrenchFET Power MOSFET- 20 8 100 % Rg Tested0.082 at VGS = - 2.5 V - 7.5 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK ChipFET SingleAPPLICA

9.1. Size:150K vishay
si5456du.pdf

Si5456DUVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.010 at VGS = 10 V 12 TrenchFET Gen III Power MOSFET20 9.8 nC0.0135 at VGS = 4.5 V 12 New Thermally Enhanced PowerPAKChipFET Package- Small Footprint AreaPowerPAK ChipFET Single-

9.2. Size:152K vishay
si5458du.pdf

New ProductSi5458DUVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.)Definition0.041 at VGS = 10 V 6 TrenchFET Power MOSFET30 2.8 nC 100 % Rg Tested0.051 at VGS = 4.5 V 6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSPowerPAK ChipFET Singl

9.3. Size:235K vishay
si5457dc.pdf

New ProductSi5457DCVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.036 at VGS = - 4.5 V - 6a TrenchFET Power MOSFET- 20 0.041 at VGS = - 3.6 V - 6a 12.5 nC 100 % Rg Tested0.056 at VGS = - 2.5 V - 6a Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC1206

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

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