SI5459DU Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI5459DU 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
Encapsulados: POWERPAK
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de SI5459DU MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
SI5459DU datasheet
si5459du.pdf
New Product Si5459DU Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.052 at VGS = - 4.5 V - 8e TrenchFET Power MOSFET - 20 8 100 % Rg Tested 0.082 at VGS = - 2.5 V - 7.5 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK ChipFET Single APPLICA
si5456du.pdf
Si5456DU Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.010 at VGS = 10 V 12 TrenchFET Gen III Power MOSFET 20 9.8 nC 0.0135 at VGS = 4.5 V 12 New Thermally Enhanced PowerPAK ChipFET Package - Small Footprint Area PowerPAK ChipFET Single -
si5458du.pdf
New Product Si5458DU Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d, e Qg (Typ.) Definition 0.041 at VGS = 10 V 6 TrenchFET Power MOSFET 30 2.8 nC 100 % Rg Tested 0.051 at VGS = 4.5 V 6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS PowerPAK ChipFET Singl
si5457dc.pdf
New Product Si5457DC Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.036 at VGS = - 4.5 V - 6a TrenchFET Power MOSFET - 20 0.041 at VGS = - 3.6 V - 6a 12.5 nC 100 % Rg Tested 0.056 at VGS = - 2.5 V - 6a Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 1206
Otros transistores... SI5442DU, SI5443DC, SI5445BDC, SI5447DC, SI5449DC, SI5456DU, SI5457DC, SI5458DU, IRFZ44N, SI5461EDC, SI5463EDC, SI5468DC, SI5471DC, SI5475BDC, SI5475DC, SI5475DDC, SI5476DU
History: PI632BZ | AP9563GM | AP2604CDT | AP4N1R1CDT-A | SSM4953M | UM6K31N
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2sc1318 replacement | 2n3905 | mj15023 | tip36c transistor | 2sc3320 | 2sc2078 | ac127 transistor | a42 transistor
