SI5468DC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI5468DC
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
Paquete / Cubierta: 1206-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI5468DC
SI5468DC Datasheet (PDF)
si5468dc.pdf
Si5468DC Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.028 at VGS = 10 V 6 30 3.8 nC TrenchFET Power MOSFET 0.034 at VGS = 4.5 V 6 100 % Rg Tested APPLICATIONS 1206-8 ChipFET System Power - Notebook 1 - Netbook D D Load Switch D
si5465edc.pdf
Si5465EDC Vishay Siliconix P-Channel 12-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) ( ) ID (A) 0.037 @ VGS = --4.5 V --7.0 --12 0.048 @ VGS = --2.5 V --6.1 0.065 @ VGS = --1.8 V --5.2 S 1206-8 ChipFETt 1 D G 5.4 k D D D D Marking Code D G LC XX S Lot Traceability and Date Code D Part # Code Bottom View P-Channel MOSFET Ordering Information Si5465EDC-T1 ABSO
si5463edc.pdf
Si5463EDC Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.062 at VGS = - 4.5 V - 5.1 ESD Protectedb 5000 V 0.068 at VGS = - 3.6 V - 4.9 - 20 0.085 at VGS = - 2.5 V - 4.4 0.120 at VGS = - 1.8 V - 3.7 1206-8 ChipFET S 1 D D D D D Marking Code G 5.4 k
si5461edc 2.pdf
Si5461EDC Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.045 at VGS = - 4.5 V - 6.2 ESD Protectedb 5000 V 0.060 at VGS = - 2.5 V - 20 - 5.4 0.082 at VGS = - 1.8 V - 4.6 S 1206-8 ChipFET 1 D D D G 5.4 k D D Marking Code D G LA XX S Lot Traceability
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Liste
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