SI5486DU Todos los transistores

 

SI5486DU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI5486DU
   Código: AG*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de SI5486DU MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SI5486DU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:167K  vishay
 si5486du.pdf pdf_icon

SI5486DU

Si5486DUVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.015 at VGS = 4.5 V New Thermally Enhanced PowerPAK12RoHSChipFET PackageCOMPLIANT0.017 at VGS = 2.5 V 20 21 nC12- Small Footprint Area0.021 at VGS = 1.8 V - Low On-Resistance12- Thin 0.8 m

 9.1. Size:166K  vishay
 si5480du.pdf pdf_icon

SI5486DU

Si5480DUVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.016 at VGS = 10 V 12 New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS30 11 nC0.022 at VGS = 4.5 V 12 ChipFET PackageCOMPLIANT- Small Footprint Area- Low On-ResistancePowerPAK ChipFET Single- Thin 0.8 mm

 9.2. Size:150K  vishay
 si5481du.pdf pdf_icon

SI5486DU

New ProductSi5481DUVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.022 at VGS = - 4.5 V - 12a New thermally Enhanced PowerPAKRoHSCOMPLIANTChipFET Package- 20 0.029 at VGS = - 2.5 V - 12a 20 nC- Small Footprint Area0.041 at VGS = - 1.8 V - 12a- Low On-R

 9.3. Size:166K  vishay
 si5485du.pdf pdf_icon

SI5486DU

Si5485DUVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A) TrenchFET Power MOSFET0.025 at VGS = - 4.5 V - 12a New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS14 nC- 20COMPLIANTChipFET Package0.042 at VGS = - 2.5 V - 12a- Small Footprint Area- Low On-Resistance- Thin 0.8 mm profilePow

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SI5475DDC , SI5476DU , SI5479DU , SI5480DU , SI5481DU , SI5482DU , SI5484DU , SI5485DU , 10N60 , SI5499DC , SI5504BDC , SI5513CDC , SI5515CDC , SI5517DU , SI5853 , SI5853CDC , SI5853DDC .

History: NTP6413ANG | SI6423DQ

 

 
Back to Top

 


 
.