SI5515CDC Todos los transistores

 

SI5515CDC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI5515CDC
   Código: EH*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.8 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
   Paquete / Cubierta: 1206-8
 

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SI5515CDC Datasheet (PDF)

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SI5515CDC

Si5515CDCVishay SiliconixN- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.036 at VGS = 4.5 V 4g TrenchFET Power MOSFETs0.041 at VGS = 2.5 V N-Channel 20 100 % Rg Tested4g 6.5 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.050 at VGS = 1.8 V 4g0.100

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Si5515CDCVishay SiliconixN- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.036 at VGS = 4.5 V 4g TrenchFET Power MOSFETs0.041 at VGS = 2.5 V N-Channel 20 100 % Rg Tested4g 6.5 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.050 at VGS = 1.8 V 4g0.100

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Si5515DCVishay SiliconixComplementary 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.040 at VGS = 4.5 V 5.9 TrenchFET Power MOSFETs0.045 at VGS = 2.5 V N-Channel 20 5.6 Ultra Low RDS(on) and Excellent Power 0.052 at VGS = 1.8 V 5.2Handling In Compact Footprint0.086 at VGS = -

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Si5519DUVishay SiliconixN- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETs0.036 at VGS = 4.5 V 6.0RoHSN-Channel 20 5.4 nC0.063 at VGS = 2.5 V COMPLIANT6.0APPLICATIONS0.064 at VGS = - 4.5 V - 6.0 Portable DC-DC ApplicationsP-Channel - 20 6.0 nC0.095 at VGS = - 2

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History: STI6N95K5 | SJMN850R80ZF

 

 
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