SI6928DQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI6928DQ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
Paquete / Cubierta: TSSOP-8
- Selección de transistores por parámetros
SI6928DQ Datasheet (PDF)
si6928dq.pdf

Si6928DQVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)Pb-free0.035 at VGS = 10 V 4.0Available300.050 at VGS = 4.5 V 3.4RoHS*COMPLIANTD1 D2TSSOP-8D1 1 D28G1 G2S1 2 S27Si6928DQS1 3 S26G1 4 G25Top ViewS1 S2Ordering Information: Si6928DQ-T1N-Chann
si6925dq.pdf

Si6925DQVishay SiliconixDual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.05 @ VGS = 4.5 V "3.40.06 @ VGS = 3.0 V "3.120200.08 @ VGS = 2.5 V "2.7D1 D2TSSOP-8D1 1 D D28S1 2 S27Si6925DQ G1 G2S1 3 S26G1 4 G25Top ViewS1 S2N-Channel MOSFET N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter S
si6924edq.pdf

Si6924EDQVishay SiliconixN-Channel 2.5-V (G-S) Battery Switch, ESD ProtectionPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.033 @ VGS = 4.5 V "4.628 0.038 @ VGS = 3.0 V "4.3 ESD Protected0.042 @ VGS = 2.5 V "4.1 2000 VFEATURESD Low rDS(on) D rDS(on) Rating at 2.5-V VGSD VGS Max Rating: 14 V D 28-V VDS RatedD Exceeds 2-kV ESD Protection D Symetrical Voltage Blocking (Off Voltag
si6926dq.pdf

Si6926DQVishay SiliconixDual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.035 @ VGS = 4.5 V "4.00.040 @ VGS = 3.0 V "3.720200.045 @ VGS = 2.5 V "3.5D1 D2TSSOP-8D1 1 D D28S1 2 S27Si6926DQ G1 G2S1 3 S26G1 4 G25Top ViewS1 S2N-Channel MOSFET N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Paramete
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: 2N7121 | AO8803 | FDC3612
History: 2N7121 | AO8803 | FDC3612



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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