SI6943BDQ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI6943BDQ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm

Encapsulados: TSSOP-8

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SI6943BDQ datasheet

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SI6943BDQ

Si6943BDQ Vishay Siliconix Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFETs Pb-free 0.08 at VGS = - 4.5 V - 2.5 Available - 12 0.105 at VGS = - 2.5 V - 1.9 RoHS* COMPLIANT S1 S2 TSSOP-8 G1 G2 D1 1 D2 8 S1 2 S2 7 Si6943BDQ S1 3 S2 6 G1 4 G2 5 Top View D1 D2 Orde

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SI6943BDQ

Si6943DQ Vishay Siliconix Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.10 @ VGS = - 4.5 V "2.5 -12 12 0.18 @ VGS = - 2.5 V "1.9 S TSSOP-8 D1 1 D D2 G 8 S1 2 S2 7 Si6943DQ S1 3 S2 6 G1 4 G2 5 Top View D P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -12 V

 9.1. Size:69K  vishay
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SI6943BDQ

Si6946DQ Vishay Siliconix Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.080 @ VGS = 4.5 V 2.8 20 20 0.110 @ VGS = 2.5 V 2.1 D TSSOP-8 D1 1 D D2 8 S1 2 S2 7 Si6946DQ G S1 3 S2 6 G1 4 G2 5 Top View S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 20 V V G

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