SI6943BDQ Todos los transistores

 

SI6943BDQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI6943BDQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8
 

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SI6943BDQ Datasheet (PDF)

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SI6943BDQ

Si6943BDQVishay SiliconixDual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFETs Pb-free0.08 at VGS = - 4.5 V - 2.5Available- 120.105 at VGS = - 2.5 V - 1.9RoHS*COMPLIANTS1 S2TSSOP-8G1 G2D1 1 D28S1 2 S27Si6943BDQS1 3 S26G1 4 G25Top ViewD1 D2Orde

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SI6943BDQ

Si6943DQVishay SiliconixDual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.10 @ VGS = - 4.5 V "2.5-12120.18 @ VGS = - 2.5 V "1.9STSSOP-8D1 1 D D2 G8S1 2 S27Si6943DQS1 3 S26G1 4 G25Top ViewDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Source Voltage VDS -12V

 9.1. Size:69K  vishay
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SI6943BDQ

Si6946DQVishay SiliconixDual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.080 @ VGS = 4.5 V 2.820200.110 @ VGS = 2.5 V 2.1DTSSOP-8D1 1 D D28S1 2 S27Si6946DQ GS1 3 S26G1 4 G25Top ViewSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Source Voltage VDS 20VVG

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History: NTP6413ANG | SI6423DQ

 

 
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