SI6968BEDQ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI6968BEDQ 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 330 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
Encapsulados: TSSOP-8
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de SI6968BEDQ MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
SI6968BEDQ datasheet
si6968bedq.pdf
SMD Type IC SMD Type MOSFET Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection KI6968BEDQ(SI6968BEDQ) TSSOP-8 Unit mm Features VDS=20V,rDS(on)=0.022 @VGS=4.5V,ID=6.5A VDS=20V,rDS(on)=0.030 @VGS=2.5V,ID=5.5A N-Channel N-Channel * Typical value by design Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 10 secs Steady State Unit Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Sou
si6968be.pdf
Si6968BEDQ Vishay Siliconix Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Pb-free TrenchFET Power MOSFETs 0.022 at VGS = 4.5 V Available 6.5 ESD Protected 3000 V 20 RoHS* 0.030 at VGS = 2.5 V 5.5 COMPLIANT D D TSSOP-8 D D 1 8 * 300 * 300 S S
si6968dq.pdf
Si6968DQ Vishay Siliconix N-Channel 2.5-V (G-S) Battery Switch PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(ON) (W) ID (A) 0.022 @ VGS = 4.5 V "6.5 20 20 0.030 @ VGS = 2.5 V "5.5 DD TSSOP-8 D D 1 8 D S1 2 S2 7 Si6968DQ G1 G2 S1 3 S2 6 G1 4 G2 5 Top View S1 S2 N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA =25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) PARAMETER SYMBOL LIMIT UNIT Drain-S
si6968edq-reva.pdf
Si6968EDQ-REVA Vishay Siliconix Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection FEATURES D TrenchFETr Power MOSFET PRODUCT SUMMARY D ESD Protected 3000 V VDS (V) rDS(on) ( ) ID (A) 0.022 @ VGS =4.5V 6.5 20 20 0.030 @ VGS =2.5V 5.5 D D TSSOP-8 *130 D D *130 1 D 8 S1 2 Si6968EDQ-REVA 7 S2 G1 G2 S1 3 S2 6 G1 4 G2 5 Top View S1 S2 N-Channel N
Otros transistores... SI6562CDQ, SI6913DQ, SI6925ADQ, SI6926ADQ, SI6928DQ, SI6943BDQ, SI6954ADQ, SI6963BDQ, 10N65, SI6981DQ, SI6993DQ, SI7100DN, SI7101DN, SI7102DN, SI7104DN, SI7106DN, SI7107DN
History: IXTT12N140 | MSQ27N30
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2sc1061 | a1023 | d313 transistor | 2sa1302 | 2sd315 | a1013 | 2sb554 | 2sd2560
