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SI7104DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7104DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.8 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1050 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0037 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8

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SI7104DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:540K  vishay
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SI7104DN

Si7104DN Vishay Siliconix N-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETs RoHS 0.0037 at VGS = 4.5 V 35 COMPLIANT Low Thermal Resistance PowerPAK Package 12 23 nC 0.007 at VGS = 2.5 V 35 with Small Size and Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested APPLICATI

 9.1. Size:547K  vishay
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SI7104DN

Si7100DN Vishay Siliconix N-Channel 8-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0035 at VGS = 4.5 V 35 COMPLIANT Low Thermal Resistance PowerPAK Package 8 40 nC 0.0045 at VGS = 2.5 V 35 with Small Size and Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested PowerPAK 12

 9.2. Size:550K  vishay
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SI7104DN

Si7107DN Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.0108 at VGS = - 4.5 V - 15.3 TrenchFET Power MOSFET 1.8 V Rated 0.015 at VGS = - 2.5 V - 20 - 13.0 Ultra Low On-Resistance for Increased 0.020 at VGS = - 1.8 V Battery Life - 11.2 New PowerPAK P

 9.3. Size:563K  vishay
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SI7104DN

New Product Si7101DN Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) 100% Rg and UIS Tested Material categorization 0.0072 at VGS = - 10 V - 35d - 30 32 nC For definitions of compliance please see 0.0130 at VGS = - 4.5 V - 35d www.vishay.com/doc?99912 PowerPAK 1212-8 APPL

Otros transistores... SI6954ADQ , SI6963BDQ , SI6968BEDQ , SI6981DQ , SI6993DQ , SI7100DN , SI7101DN , SI7102DN , 20N50 , SI7106DN , SI7107DN , SI7108DN , SI7110DN , SI7112DN , SI7113DN , SI7114ADN , SI7114DN .

 

 
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