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SI7113DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7113DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.134 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI7113DN

 

SI7113DN Datasheet (PDF)

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SI7113DN

Si7113DN Vishay Siliconix P-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.134 at VGS = - 10 V - 13.2e Low Thermal Resistance PowerPAK RoHS - 100 16.5 nC Package with Small Size and Low 1.07 mm COMPLIANT 0.145 at VGS = - 4.5V - 12.7e Profile UIS and Rg Tested

 8.1. Size:252K  vishay
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SI7113DN

Si7113ADN www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PowerPAK 1212-8 Single D TrenchFET power MOSFET D 8 D 7 100 % Rg and UIS tested D 6 5 Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 1 1 APPLICATIONS S 2 S S 3 S Active clamp in intermediate DC/DC 4 S 1 power supplies G

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SI7113DN

New Product Si7114ADN Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 100 % Rg Tested 0.0075 at VGS = 10 V 35 COMPLIANT 30 10.2 nC 100 % UIS Tested 0.0098 at VGS = 4.5 V 35 APPLICATIONS PowerPAK 1212-8 Synchronous Rectification S 3.30

 9.2. Size:532K  vishay
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SI7113DN

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