SI7113DN Todos los transistores

 

SI7113DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7113DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.134 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI7113DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:542K  vishay
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SI7113DN

Si7113DNVishay SiliconixP-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.134 at VGS = - 10 V - 13.2e Low Thermal Resistance PowerPAKRoHS- 100 16.5 nCPackage with Small Size and Low 1.07 mm COMPLIANT0.145 at VGS = - 4.5V - 12.7eProfile UIS and Rg Tested

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SI7113DN

Si7113ADNwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8 SingleD TrenchFET power MOSFETD8D7 100 % Rg and UIS testedD65 Material categorization: for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?9991211APPLICATIONSS2SS3S Active clamp in intermediate DC/DC4S1power suppliesG

 9.1. Size:575K  vishay
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SI7113DN

New ProductSi7114ADNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS 100 % Rg Tested0.0075 at VGS = 10 V 35COMPLIANT 30 10.2 nC 100 % UIS Tested0.0098 at VGS = 4.5 V 35APPLICATIONSPowerPAK 1212-8 Synchronous RectificationS3.30

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SI7113DN

Si7110DNVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Gen II Power MOSFET0.0053 at VGS = 10 V RoHS21.120 14 nC New Low Thermal Resistance PowerPAK COMPLIANT 0.0078 at VGS = 4.5 V 17.4Package with Low 1.07 mm Profile PWM Optimized

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History: IXTP50N28T | 3SK249

 

 
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