SI7114DN Todos los transistores

 

SI7114DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7114DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8
 

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SI7114DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:532K  vishay
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SI7114DN

Si7114DNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Gen II Power MOSFET0.0075 at VGS = 10 V RoHS 18.330 12.5 COMPLIANT New Low Thermal Resistance PowerPAK 0.010 at VGS = 4.5 V 15.9Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg TestedA

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SI7114DN

New ProductSi7114ADNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS 100 % Rg Tested0.0075 at VGS = 10 V 35COMPLIANT 30 10.2 nC 100 % UIS Tested0.0098 at VGS = 4.5 V 35APPLICATIONSPowerPAK 1212-8 Synchronous RectificationS3.30

 8.2. Size:572K  vishay
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SI7114DN

New ProductSi7114ADNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS 100 % Rg Tested0.0075 at VGS = 10 V 35COMPLIANT 30 10.2 nC 100 % UIS Tested0.0098 at VGS = 4.5 V 35APPLICATIONSPowerPAK 1212-8 Synchronous RectificationS3.30

 9.1. Size:532K  vishay
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SI7114DN

Si7110DNVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Gen II Power MOSFET0.0053 at VGS = 10 V RoHS21.120 14 nC New Low Thermal Resistance PowerPAK COMPLIANT 0.0078 at VGS = 4.5 V 17.4Package with Low 1.07 mm Profile PWM Optimized

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History: IRF7306TR

 

 
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