SI7115DN Todos los transistores

 

SI7115DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7115DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.295 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8
 

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SI7115DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:547K  vishay
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SI7115DN

Si7115DNVishay SiliconixP-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET0.295 at VGS = - 10 V - 8.9e Low Thermal Resistance PowerPAK- 150 23.2 nC0.315 at VGS = - 6 V - 8.6ePackage with Small Size and Low 1 mm Profile 100 % Rg and UI

 9.1. Size:575K  vishay
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SI7115DN

New ProductSi7114ADNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS 100 % Rg Tested0.0075 at VGS = 10 V 35COMPLIANT 30 10.2 nC 100 % UIS Tested0.0098 at VGS = 4.5 V 35APPLICATIONSPowerPAK 1212-8 Synchronous RectificationS3.30

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SI7115DN

Si7110DNVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Gen II Power MOSFET0.0053 at VGS = 10 V RoHS21.120 14 nC New Low Thermal Resistance PowerPAK COMPLIANT 0.0078 at VGS = 4.5 V 17.4Package with Low 1.07 mm Profile PWM Optimized

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SI7115DN

Si7113DNVishay SiliconixP-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.134 at VGS = - 10 V - 13.2e Low Thermal Resistance PowerPAKRoHS- 100 16.5 nCPackage with Small Size and Low 1.07 mm COMPLIANT0.145 at VGS = - 4.5V - 12.7eProfile UIS and Rg Tested

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History: NIF5002NT1G

 

 
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