SI7116DN Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI7116DN 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0078 Ohm
Encapsulados: POWERPAK-1212-8
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SI7116DN datasheet
si7116dn.pdf
Si7116DN Vishay Siliconix N-Channel 40-V (D-S) Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0078 at VGS = 10 V RoHS 16.4 40 15 nC COMPLIANT New Low Thermal Resistance PowerPAK 0.010 at VGS = 4.5 V 14.5 Package with Low 1.07 mm Profile PWM Optimized 100 %
si7114adn.pdf
New Product Si7114ADN Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 100 % Rg Tested 0.0075 at VGS = 10 V 35 COMPLIANT 30 10.2 nC 100 % UIS Tested 0.0098 at VGS = 4.5 V 35 APPLICATIONS PowerPAK 1212-8 Synchronous Rectification S 3.30
si7115dn.pdf
Si7115DN Vishay Siliconix P-Channel 150 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.295 at VGS = - 10 V - 8.9e Low Thermal Resistance PowerPAK - 150 23.2 nC 0.315 at VGS = - 6 V - 8.6e Package with Small Size and Low 1 mm Profile 100 % Rg and UI
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History: TF68N75
🌐 : EN ES РУ
Liste
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