SI7121ADN Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI7121ADN  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 245 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-1212-8

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SI7121ADN datasheet

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SI7121ADN

Si7121ADN www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) Qg (TYP.) Low thermal resistance PowerPAK package 0.0150 at VGS = -10 V -18 e 100 % Rg and UIS tested -30 0.0200 at VGS = -6 V -18 e 16 nC Material categorization 0.0260 at VGS = -4.5 V -18 e For definitions

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SI7121ADN

New Product Si7121DN Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.018 at VGS = - 10 V - 16d 100% Rg Tested RoHS - 30 22 nC COMPLIANT 100% UIS Tested 0.0305 at VGS = - 4.5 V - 16d APPLICATIONS PowerPAK 1212-8 Notebook Battery Charging S Noteb

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SI7121ADN

Si7120DN Vishay Siliconix N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFET 0.019 at VGS = 10 V RoHS 10 60 COMPLIANT New Low Thermal Resistance 0.028 at VGS = 4.5 V 8.2 PowerPAK 1212-8 Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested APPLICATIONS PowerPAK 1212-8

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