SI7121ADN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI7121ADN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 245 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI7121ADN
Principales características: SI7121ADN
si7121adn.pdf
Si7121ADN www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) Qg (TYP.) Low thermal resistance PowerPAK package 0.0150 at VGS = -10 V -18 e 100 % Rg and UIS tested -30 0.0200 at VGS = -6 V -18 e 16 nC Material categorization 0.0260 at VGS = -4.5 V -18 e For definitions
si7121dn.pdf
New Product Si7121DN Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.018 at VGS = - 10 V - 16d 100% Rg Tested RoHS - 30 22 nC COMPLIANT 100% UIS Tested 0.0305 at VGS = - 4.5 V - 16d APPLICATIONS PowerPAK 1212-8 Notebook Battery Charging S Noteb
si7120dn.pdf
Si7120DN Vishay Siliconix N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFET 0.019 at VGS = 10 V RoHS 10 60 COMPLIANT New Low Thermal Resistance 0.028 at VGS = 4.5 V 8.2 PowerPAK 1212-8 Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested APPLICATIONS PowerPAK 1212-8
Otros transistores... SI7113DN , SI7114ADN , SI7114DN , SI7115DN , SI7116DN , SI7117DN , SI7120ADN , SI7120DN , IRFZ48N , SI7121DN , SI7123DN , SI7135DP , SI7136DP , SI7137DP , SI7138DP , SI7139DP , SI7141DP .
History: 1115
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Liste
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