SI7121DN Todos los transistores

 

SI7121DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7121DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8
 

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SI7121DN Datasheet (PDF)

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SI7121DN

New ProductSi7121DNVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.018 at VGS = - 10 V - 16d 100% Rg TestedRoHS- 30 22 nCCOMPLIANT 100% UIS Tested0.0305 at VGS = - 4.5 V - 16dAPPLICATIONSPowerPAK 1212-8 Notebook Battery ChargingS Noteb

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SI7121DN

Si7121ADNwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) Low thermal resistance PowerPAK package0.0150 at VGS = -10 V -18 e 100 % Rg and UIS tested-30 0.0200 at VGS = -6 V -18 e 16 nC Material categorization:0.0260 at VGS = -4.5 V -18 eFor definitions

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SI7121DN

Si7120DNVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFET0.019 at VGS = 10 V RoHS1060 COMPLIANT New Low Thermal Resistance0.028 at VGS = 4.5 V 8.2 PowerPAK 1212-8 Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg TestedAPPLICATIONSPowerPAK 1212-8

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SI7121DN

New ProductSi7120ADNVishay SiliconixN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.021 at VGS = 10 V 9.5 TrenchFET Power MOSFET600.031 at VGS = 4.5 V 7.9 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK 1212-8APPLICATIONS

Otros transistores... SI7114ADN , SI7114DN , SI7115DN , SI7116DN , SI7117DN , SI7120ADN , SI7120DN , SI7121ADN , STP65NF06 , SI7123DN , SI7135DP , SI7136DP , SI7137DP , SI7138DP , SI7139DP , SI7141DP , SI7143DP .

History: MTD6N15T4GV | SSA47N60SFD | IRFR7540PBF | MTB3D0N03ATH8 | IPP070N06NG | NCEP040N10D | WSF20N20G

 

 
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