SI7148DP Todos los transistores

 

SI7148DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7148DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 255 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI7148DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:303K  vishay
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SI7148DP

Si7148DPVishay SiliconixN-Channel 75-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.011 at VGS = 10 V 28 TrenchFET Power MOSFET75 33 nC0.0145 at VGS = 4.5 V 28 100 % Rg TestedAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 Primary Side SwitchS6.15 mm 5.15 mm1SD2S3G

 9.1. Size:337K  vishay
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SI7148DP

New ProductSi7145DPVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0026 at VGS = - 10 V - 60d TrenchFET Power MOSFET- 30 129 nC 100 % Rg Tested0.00375 at VGS = - 4.5 V - 60d 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPA

 9.2. Size:305K  vishay
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SI7148DP

Si7149ADPVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) Low On-Resistance for Low Voltage Drop Extended VGS max. Rating: 25 V0.0052 at VGS = - 10 V - 50d- 30 43.1 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0095 at VGS = - 4.5 V - 50d Material categorization: For definitions of

 9.3. Size:107K  vishay
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SI7148DP

New ProductSi7141DPVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0019 at VGS = - 10 V - 60d TrenchFET Power MOSFET- 20 128 nC 100 % Rg Tested0.0030 at VGS = - 4.5 V - 60d 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK

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History: STS4622 | KHB4D5N60F2 | SIHFIZ14G | IRF7811APBF | P5504EVG | AP4506GEM | AOT264L

 

 
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