SI7216DN Todos los transistores

 

SI7216DN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7216DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 142 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8
 

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Principales características: SI7216DN

 ..1. Size:571K  vishay
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SI7216DN

Si7216DN Vishay Siliconix Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Available TrenchFET Power MOSFET 0.032 at VGS = 10 V 6e 40 5.5 nC Low Thermal Resistance PowerPAK 0.039 at VGS = 4.5 V 5e Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile 100 % Rg and UIS t

 9.1. Size:573K  vishay
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SI7216DN

Si7218DN Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A) Available 0.025 at VGS = 10 V 24 TrenchFET Power MOSFET 30 5 nC 0.033 at VGS = 4.5 V 21 APPLICATIONS Synchronous Rectification PowerPAK 1212-8 Notebook System Power POL S1 3.30 mm

 9.2. Size:560K  vishay
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SI7216DN

Si7214DN Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.04 at VGS = 10 V 6.4 30 TrenchFET Power MOSFET 0.047 at VGS = 4.5 V 5.9 100 % Rg Tested Optimized for High Efficiency Applications APPLICATIONS PowerPAK 1212-8 Synchronous Rectificatio

 9.3. Size:545K  vishay
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SI7216DN

Si7212DN Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.036 at VGS = 10 V 6.8 100 % Rg Tested 30 7 0.039 at VGS = 4.5 V 6.6 Space Savings Optimized for Fast Switching Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Synchronous Re

Otros transistores... SI7174DP , SI7178DP , SI7186DP , SI7190DP , SI7192DP , SI7194DP , SI7196DP , SI7212DN , IRLZ44N , SI7220DN , SI7222DN , SI7224DN , SI7228DN , SI7230DN , SI7232DN , SI7234DP , SI7236DP .

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