SI7224DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI7224DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI7224DN

SI7224DN Datasheet (PDF)

..1. Size:601K vishay
si7224dn.pdf

New ProductSi7224DNVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETs0.035 at VGS = 10 V 6aChannel 1 30 4.5 nCRoHS0.042 at VGS = 4.5 V 6aCOMPLIANTAPPLICATIONS0.028 at VGS = 10 V 6a Notebook PC System PowerChannel 2 30 5.5 nC0.03

9.1. Size:560K vishay
si7220dn.pdf

Si7220DNVishay SiliconixDual N-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Available0.060 at VGS = 10 V 4.8 TrenchFET Power MOSFET60 130.075 at VGS = 4.5 V 4.3 New Low Thermal Resistance PowerPAK1Package, /3 the Space of An SO-8 WhileThermally ComparableAPPLICATIO

9.2. Size:568K vishay
si7222dn.pdf

Si7222DNVishay SiliconixDual N-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Available0.042 at VGS = 10 V 6e TrenchFET Power MOSFET40 8 nC0.047 at VGS = 4.5 V 5e Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Small Size and Low 1.07 mm ProfileAPPLICATIONS Primary

9.3. Size:552K vishay
si7228dn.pdf

Si7228DNVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)f Qg (Typ.)Definition0.020 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET2630 4.1 nC 100 % Rg Tested0.025 at VGS = 4.5 V 23 100 UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSPowerPAK 12

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Liste

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