SI7232DN Todos los transistores

 

SI7232DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7232DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0164 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI7232DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:586K  vishay
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SI7232DN

New ProductSi7232DNVishay SiliconixDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0164 at VGS = 4.5 V 25f TrenchFET Power MOSFET Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC20 0.020 at VGS = 2.5 V 25f 12 nC0.024 at VGS = 1.8 V 24.6APPLICATIONS DC/DC

 9.1. Size:494K  vishay
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SI7232DN

Si7236DPVishay SiliconixDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0052 at VGS = 4.5 V 60 TrenchFET Power MOSFET20 31 nC0.007 at VGS = 2.5 V 60APPLICATIONS Synchronous Rectification DC-DC Point-of-LoadPowerPAK SO-8S16.15 mm 5.15 mm1D

 9.2. Size:550K  vishay
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SI7232DN

Si7230DNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.012 at VGS = 10 V 14 TrenchFET Power MOSFET300.016 at VGS = 4.5 V 12 PWM Optimized 100 % Rg TestedAPPLICATIONSPowerPAK 1212-8 DC/DC Converters- Secondary Synchronous Rectifier- Hig

 9.3. Size:509K  vishay
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SI7232DN

New ProductSi7234DPVishay SiliconixDual N-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.0034 at VGS = 4.5 V 60COMPLIANT 12 37 nCAPPLICATIONS0.005 at VGS = 2.5 V 60 Synchronous Rectification DC-DC Point-of-LoadPowerPAK SO-8S16.15 mm 5.15 mm D 1 D 2 1

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