SI7236DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI7236DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 60 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 650 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI7236DP

SI7236DP Datasheet (PDF)

..1. Size:494K vishay
si7236dp.pdf

Si7236DPVishay SiliconixDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0052 at VGS = 4.5 V 60 TrenchFET Power MOSFET20 31 nC0.007 at VGS = 2.5 V 60APPLICATIONS Synchronous Rectification DC-DC Point-of-LoadPowerPAK SO-8S16.15 mm 5.15 mm1D

9.1. Size:586K vishay
si7232dn.pdf

New ProductSi7232DNVishay SiliconixDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0164 at VGS = 4.5 V 25f TrenchFET Power MOSFET Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC20 0.020 at VGS = 2.5 V 25f 12 nC0.024 at VGS = 1.8 V 24.6APPLICATIONS DC/DC

9.2. Size:550K vishay
si7230dn.pdf

Si7230DNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.012 at VGS = 10 V 14 TrenchFET Power MOSFET300.016 at VGS = 4.5 V 12 PWM Optimized 100 % Rg TestedAPPLICATIONSPowerPAK 1212-8 DC/DC Converters- Secondary Synchronous Rectifier- Hig

9.3. Size:509K vishay
si7234dp.pdf

New ProductSi7234DPVishay SiliconixDual N-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.0034 at VGS = 4.5 V 60COMPLIANT 12 37 nCAPPLICATIONS0.005 at VGS = 2.5 V 60 Synchronous Rectification DC-DC Point-of-LoadPowerPAK SO-8S16.15 mm 5.15 mm D 1 D 2 1

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Liste

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